SI1427EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI1427EDH-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.43 |
10+ | $0.345 |
100+ | $0.2352 |
500+ | $0.1764 |
1000+ | $0.1323 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 3A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 8 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI1427 |
SI1427EDH-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1427EDH-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6
Vishay SOT-23-6
MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
VISHAY SOT363
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
VBSEMI SC70-6
SI1433DH-T1 VISHAY
MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6
2024/01/23
2024/04/19
2024/06/19
2024/01/31
SI1427EDH-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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